在蓝宝石衬底上外延生长ZnGa2O4纳米线及其表征

摘要：

使用一种简单的化学气相沉积法成功地在c面蓝宝石衬底上外延生长了整齐排列的ZnGa2O4单晶纳米线.研究了在不同生长温度和生长压力下外延生长ZnGa2O4纳米线,并使用XRD,SEM和TEM对产物进行了表征.结果 表明,在生长条件为980℃和100 Torr时,可以外延生长出整齐排列的ZnGa2O4纳米线.所制备的ZnGa2O4纳米线直径为60 ～ 150 nm,并遵循Au催化的VLS生长机制沿其四个结晶学方向在蓝宝石上外延生长.分析了纳米线沿四个方向生长的原因,并对纳米线的光致发光性能进行了探讨.

关键词：ZnGa2O4纳米线、化学气相沉积法、光致发光、蓝宝石衬底

所属期刊栏目：48

分类号：TQ139.2

资助基金：福建省“百人计划”第四批项目;国家自然科学基金61774158;福建省自然科学基金2018J01110

在线出版日期：2019-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：992-996