横向双锥快速生长35％DKDP晶体的研究

摘要：

在ICF工程中II类三倍频晶体使用的是含氘量70％DKDP晶体,而70％DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为II类三倍频晶体是很有必要的.采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35％DKDP晶体,按照II类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70％DKDP晶体进行对比.实验结果表明,所生长含氘量35％DKDP晶体比70％DKDP晶体损伤阈值约高1.8倍,而在881.7 cm-1,35％DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70％DKDP晶体高出约23％,70％DKDP晶体的TSRS比35％小.

关键词：DKDP晶体、损伤阈值、横向双锥生长、横向受激拉曼散射

所属期刊栏目：48

分类号：O78(晶体生长)

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：587-591,597