基于数值模拟电子级多晶硅还原 炉流动结构改进研究

摘要：

针对现役电子级多晶硅还原炉炉内气体循环不强、硅棒桥接处沉积质量较差的问题,提出了调整喷嘴直径的优化方案,并利用建模工具建立了原有设计和优化设计的物理模型,对炉体内部的混合气体流动、硅芯电阻加热、辐射传热等进行了数值模拟计算,计算结果收敛,经后处理得到不同设计下炉体内部流速、温度及硅棒表面温度分布云图.实验表明,在其他工艺条件不变的情况下,优化设计可以提供比原有设计更高的沉积速率和致密料比例.

关键词：多晶硅、CVD反应、数值模拟、流动结构、温场优化

所属期刊栏目：48

分类号：O735(晶体物理)

在线出版日期：2019-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：545-549