预氧化法制备均匀硅纳米线阵列

摘要：

利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(SiNWs).通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性.此外,在300～800 nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500 nm左右时,反射率降低值大于2.4％.最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理.

关键词：硅纳米线阵列、预氧化清洗、金属辅助化学刻蚀、各向异性

所属期刊栏目：47

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：深圳市基础研究项目JCYJ20170306141238532

在线出版日期：2018-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2022-2027