变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

摘要：

随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用.在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数.通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺.该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变.

关键词：多晶硅沉积、弯曲、翘曲

所属期刊栏目：47

分类号：O78;TM23(晶体生长)

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1474-1479