低温化学浴制备PbS薄膜和表征及其在太阳能电池中的应用

摘要：

为得到高质量的PbS薄膜,使用化学浴沉积法在40℃、50℃和60℃的低温下在包覆有TiO2层的FTO衬底上成功制备了PbS薄膜.所制备的PbS薄膜外观光滑、致密,使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见近红外和紫外光电子能谱分析了该薄膜.根据分析结果,运用谢乐公式计算得到以上温度下制备的PbS薄膜的粒径分别为30 nm、36 nm和39 nm,且相应禁带宽度分别估算为1.58 eV、1.38 eV和1.20 eV.通过紫外光电子能谱结果计算出相应功函数分别为-4.90 eV、-4.60 eV和-4.50 eV,结合PbS薄膜的禁带宽度和功函数计算了其导带边和价带边的大小.此外,以spiro-OMeTAD作为空穴传输层,制备了PbS/TiO2太阳能电池,并获得了0.24％的光电转换效率.

关键词：PbS薄膜、低温、化学浴沉积、太阳能电池

所属期刊栏目：47

分类号：TN304;O484(半导体技术)

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1468-1473,1479