3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算

摘要：

采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明:3C-SiC块体是带隙为1.44 eV的G-M间接带隙半导体,3C-SiC(111)表面是带隙为2.05 eV的M-G间接带隙半导体,3C-SiC(110)表面形成带隙值为0.87 eV的直接带隙半导体;3C-SiC(100)表面转变为导体.由光学性质分析得到,与3C-SiC块体比较,3C-SiC(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移.

关键词：3C-SiC、表面、电子结构、光学性质、第一性原理

所属期刊栏目：47

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61264004;贵州省科技合作计划黔科合 LH字[2015]7218,[2017]7077;青年科技人才成长基金项目黔教合KY字 [2016]166;贵州省教育厅创新群体重大研究项目黔教合KY字[2016]028, [2016]030

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1346-1352