10.3969/j.issn.1000-985X.2018.04.024
Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si3N4纳米线
采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si3N4纳米线.通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si3N4纳米线的形貌和组分进行表征与分析.TEM和SEM分析显示合成的α-Si3N4纳米线直径为30~100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si3N4的[001]方向生长,生长机制气-液-固(VLS)机制所控制.α-Si3N4纳米线光致发光光谱(PL)表明其具有一宽的发光带,具有良好的发光性能.
α-Si3N4、纳米线、电弧、光致发光
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O469(真空电子学(电子物理学))
国家自然科学基金11504028;渤海大学研究生创新基金YJC20170040
2018-06-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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