HPVB法生长的CdSe单晶性能研究

摘要：

采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶.使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°.使用辉光放电质谱法(GDMS)、霍尔效应测试、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对晶体生长轴向的微量杂质含量及分布、电学性能和光学性能进行测试和分析,结果表明微量杂质在晶体轴向方向呈现出不同的分凝特性,杂质的不均匀分布影响晶体的电学性能和光学性能.晶体呈现出较高的电阻率(108Ω· cm)和优良的红外透过性能,在8~12 μm范围内平均透过率约为70%,吸收系数小于0.058 cm-1.

关键词：CdSe单晶、籽晶、HPVB法、红外透过率、非线性光学晶体

所属期刊栏目：47

分类号：O782+.9(晶体生长)

资助基金：天津市自然科学基金重点项目15JCZDJC37800;国家自然科学基金61774054

在线出版日期：2018-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：669-673