NiO为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能

摘要：

采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/ QDs/ZnO/Ag的量子点发光二极管(QLED)中.XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni3+离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺,获得Ni3离子含量增多且分布均匀的NiO薄膜.研究结果显示:随着旋涂NiO次数的增加,器件性能呈现出逐渐改善趋势,当旋涂4次时,器件获得最佳效果,其中最佳发光强度从184cd/m2提高到4775 cd/m2,最大电流效率为0.54 cd/A,最大外量子效率为0.22％,与未改善的单层NiO基QLED相比,均提高超过50倍.

关键词：氧化镍、溶液法、空穴传输层、量子点发光二极管

所属期刊栏目：47

分类号：O482.31;TN383+.1(固体物理学)

资助基金：广州市协同创新重大专项201704030069

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：556-563