氧化钙和氯氧化钇为助烧剂对碳化硅陶瓷性能的影响

摘要：

采用YOCl/CaO为助烧剂常压烧结制备SiC陶瓷,研究助烧剂的配比及烧结温度对陶瓷的显微结构、热学性能及介电性能的影响.结果表明:在高温烧结过程中YOCl及CaO会与SiC发生置换还原反应,生成部分含钇化合物,对比各样品的热膨胀系数发现,在1800 ℃下烧结的YOCl/CaO=4:5的样品与常压烧结制备的纯SiC热膨胀系数α=4.0×10 -6相接近,而其它样品热膨胀系数与单晶硅的热膨胀系数α=2.62×10 -6较为接近,有望成为较好的封装材料.

关键词：碳化硅陶瓷、常压烧结、助烧剂、热膨胀性能

所属期刊栏目：47

分类号：TQ174.75

资助基金：新疆维吾尔自治区玻璃化转变机制研究创新团队2014751001

在线出版日期：2018-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：184-188