10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.004
YF3/氧化物烧结助剂对碳化硅陶瓷热导率的影响
利用YF3/氧化物体系作为烧结助剂热压烧结碳化硅陶瓷,研究了此体系中氧化物的种类、含量对样品的致密度、导热性能、物相成分、微观形貌的影响.实验结果表明,在烧结温度1900 ℃、压力50 MPa条件下,YF3/氧化物体系烧结助剂对碳化硅陶瓷热导率有所提升,其中同时添加5wt%YF3+3wt%MgO双相烧结助剂的SiC陶瓷性能最优,其致密度为98.93%,热扩散系数为71.40 mm2/s,热导率为154.29 W/(m· K).
碳化硅陶瓷、氟化钇、热压烧结、热导率
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TQ174
国家重大科技专项022013ZX02104-001-002
2018-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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