γ-Bi2Sn2O7的水热合成及其可见光区光电响应研究

摘要：

本文采用水热法制备了γ-Bi2Sn2O7并研究了其在可见光区的光电响应.Bi2Sn2O7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征.研究结果表明,合成的Bi2Sn2O7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67eV,比α-Bi2O3(2.85eV)的光学带隙小.Bi2Sn2O7的光电响应相对于α-Bi2O3在可见光区展现出一定的优势,同时对外加电压有很强的响应.

关键词：Bi2Sn2O7、光电响应、可见光吸收、表面光电压谱、电场诱导

所属期刊栏目：46

分类号：TG0484.1

资助基金：国家自然科学基金面上项目61673404;国家自然科学基金青年基金61305080

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1875-1878