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10.3969/j.issn.1000-985X.2017.09.035

空气中旋涂热解快速制备高化学计量比SnS2薄膜

引用
为快速制备高化学计量比的SnS2薄膜,介绍了一种简单的旋涂热解法,以SnCl4·5H2O和硫脲分别为Sn源和S源,在空气中及热解温度分别为200℃、260℃和320℃时制备了系列SnS2薄膜,这是首次使用旋涂热解法制备SnS2薄膜的尝试.采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis等手段研究了热解温度对SnS2薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响,在热解温度为260℃且仅需热解2min条件下,获得了Sn/S原子比为1/1.98的高化学计量比SnS2薄膜,该薄膜直接禁带宽度为2.50eV,非常适合作为太阳能电池窗口层.

SnS2薄膜、旋涂热解、化学计量比、拉曼光谱、光学吸收

46

TN304;O484(半导体技术)

国家自然科学基金21565001;国家民委化工重点实验室科研项目2016HG02;北方民族大学科研项目2016HG-KY05, 2016HG-KY01,2015KJ30

2017-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1846-1850,1857

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

46

2017,46(9)

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