10.3969/j.issn.1000-985X.2017.09.024
Mg掺杂对CaMnO3基热电氧化物电子结构及电性能的影响研究
采用超软赝势密度泛函理论计算的方法研究了Mg掺杂Ca位CaMnO3基复合氧化物的能带结构、电子态密度和电荷分布状况,在此基础上分析了Mg掺杂氧化物的电性能.结果表明,Mg掺杂CaMnO3氧化物仍然呈间接带隙型能带结构,带隙宽度由0.756eV减小到0.734eV.CaMnO3氧化物和Mg掺杂CaMnO3氧化物的自旋态密度曲线极值点均位于为-0.8eV附近.Mg掺杂CaMnO3氧化物中Mn原子对体系费米面态密度的贡献有所减小,O原子和Ca原子对体系费米面态密度的贡献有所增大.Mg原子比Ca原子具有更强的释放电子的能力,Mg掺杂对于CaMnO3氧化物属于电子型掺杂.Mg掺杂CaMnO3氧化物导电性能增强,电性能提高.
CaMnO3、Mg掺杂、电子结构
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TN34(半导体技术)
国家自然科学基金51572066;河南省自然科学基金162300410007
2017-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1791-1797