石墨衬底上铝诱导法制备多晶硅薄膜

摘要：

利用磁控溅射技术在石墨衬底上制备了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si叠层结构,采用常规退火(CTA)和快速热退火(RTA)对样品进行退火,系统研究了不同退火条件对多晶硅薄膜制备的影响.利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman)对制备的多晶硅薄膜进行表征,并利用谢乐公式计算了晶粒尺寸,结果表明制备的多晶硅薄膜具有高度(111)择优取向,结晶质量良好,利于后续外延制作多晶硅厚膜电池.基于实验结果,建立了铝诱导晶化模型,很好的解释了实验现象.

关键词：磁控溅射、铝诱导、石墨衬底、多晶硅薄膜

所属期刊栏目：46

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：北京市自然科学基金2151004;中央高校基本科研业务费专项资金2016MS50

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1709-1713