β-Ga2O3薄膜掺杂工艺及性能研究进展

摘要：

β-Ga2O3薄膜因其禁带宽度大,稳定性高,生产成本低等优势,被认为是在光电探测器、发光器件等领域非常有前景的材料之一.但β-Ga2O3较低的导电率限制了其在某些领域的应用,通过掺杂技术改进β-Ga2O3薄膜在光学和电学的性能吸引了大量科研者的目光.本文介绍了几种常用的掺杂手段及掺杂对β-Ga2O3薄膜结构和光电特性的影响,并对以后的研究工作进行了展望.

关键词：β-Ga2O3、薄膜、掺杂

所属期刊栏目：46

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60876006,60376007;北京市教育委员会科技计划重点资助项目KZ201410005008

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1683-1690