溅射气压对碳硅氧薄膜透过率及光学带隙的影响

摘要：

采用射频磁控溅射技术在玻璃基底和单晶硅片(100)上制备了碳硅氧(SiOC)薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱及紫外可见透射光谱等技术手段对其进行了分析,研究了在不同溅射气压下所制备薄膜的组分、透过率及光学带隙.结果表明:随着溅射气压的增大,薄膜内部sp3键含量、透过率及光学带隙均随之增大,sp3键及其形成的宽带隙σ键对薄膜光学带隙有着较大影响.在溅射气压为3.0 Pa的条件下,薄膜光学带隙为2.67 eV.

关键词：碳硅氧薄膜、磁控溅射、透过率、光学带隙

所属期刊栏目：46

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51562008;国家重点研发计划项目2016YFC0700804;海南省重点研发计划项目ZDYF2016017

在线出版日期：2017-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1470-1475