过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展

摘要：

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注.总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望.

关键词：过渡金属二硫族化合物、FET、器件

所属期刊栏目：46

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51503036;福建省自然科学基金2017J01733,2015J01654

在线出版日期：2017-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：867-873