低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

摘要：

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.

关键词：锑化镓(GaSb)、液封直拉法(LEC)、单晶、衬底

所属期刊栏目：46

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61474104,61504131

在线出版日期：2017-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：820-824