影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

摘要：

选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量.实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果.保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变.在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步增加.通过优化的抛光参数,SiC表面的抛光去除速率达到142 nm/h.进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量的关键.表面缺陷检测仪(Candela)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明,SiC抛光片表面无划痕,粗糙度达到0.06 nm.外延后总缺陷密度小于1个/cm2,粗糙度达到0.16 nm.

关键词：碳化硅、化学机械抛光、pH值、压力、双氧水

所属期刊栏目：46

分类号：TN305.2;O78(半导体技术)

资助基金：国家科技部高技术研究发展计划"863计划"2014AA041402;北京市科技新星计划项目Z141103001814088;新疆兵团重点领域创新团队计划

在线出版日期：2017-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：759-765