ZrB2粒径对Si3N4-ZrB2陶瓷相组成、显微结构及电阻率的影响

摘要：

以20vol％ ZrB2粗粉和细粉为导电相,以3vol％ MgO-2vol％ YB2O3烧结助剂,通过热压烧结在1500℃制备了Si13N4-ZrB2复相陶瓷,研究了ZrB2粒径对致密度、相组成、显微结构以及电阻率的影响.结果表明,不依赖于Zrl2粒径,通过引入MgO-YB2O3烧结助剂,均可以获得高致密Si3N4-ZrB2陶瓷.以Zrl2粗粉为原料时,Si3N4-ZrB2陶瓷包含主要的αt-Si3N4 、β-Si3N4和ZrB2相以及微弱的Yb4 Si2N2O7相,由于ZrB2晶粒保持孤立状态,样品电阻率较高,为9.5×103 Ω·m;而以ZrB2细粉为原料时,其与Si3N4发生轻微的高温反应,除了包含主要的d-Si3N4、β-Si3N4和ZrB2相及微弱的Yb4Si2N2O7相之外,Si3 N4-ZrB2陶瓷还含有新生成的微弱ZrSi2和ZrN导电相,由于ZrB2晶粒保持连通状态,样品电阻率显著降低,仅有6.8 Ω·m.

关键词：Si3 N4陶瓷、ZrB2粒径、热压、显微结构、电阻率

所属期刊栏目：46

分类号：TQ174.75

在线出版日期：2017-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：352-355