导模法生长高质量氧化镓单晶的研究

摘要：

使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶.晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,晶体摇摆曲线半峰宽为93.6",峰形对称,说明晶体质量良好.测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4.77 eV.此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响.

关键词：氧化镓单晶、导模法、禁带宽度

所属期刊栏目：46

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：山东大学青年学者未来计划2015WLJH36;光电材料与技术国家重点实验室开放课题OEMT-2015-KF-06

在线出版日期：2017-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：193-196