Sb-Na共掺p型ZnO的第一性原理研究

摘要：

运用密度泛函理论,计算了Sbzn、Nazn、Sbzn-nNazn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现Sbzn、Nazn、Sbzn-nNazn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度.能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;NaZn、Sbzn-2NaZn体系为p型半导体材料;Sbzn-NaZn、SbZn-3NaZn体系为本征半导体材料.对p型半导体材料体系的导电性能研究发现,Sbzn-2Nazn体系电导率大于NaZn体系的电导率,即Sbzn-2NaZn掺杂改善了体系的导电性.计算结果为实验制备p型ZnO材料提供了理论指导.

关键词：p型ZnO、电子结构、导电性能

所属期刊栏目：45

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：湖北省自然科学基金2014CFB342,2014CFB619;湖北民族学院博士科研启动基金MY2013B020

在线出版日期：2017-02-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2902-2907