薄膜砷化镓太阳能电池晶圆片金-金键合热应力影响因素分析

摘要：

针对砷化镓太阳能电池键合过程中键合界面位错密度过大、部分区域解键合等问题,通过金-金热压键合技术结合有限元方法,提出了一系列降低结构热应力的有效途径.以砷化镓薄膜电池GaAs/Au/PI晶圆片为研究对象,建立三维电池模型,观察和分析了在热和压力同时作用下键合界面的热应力分布及结构变形情况,并探究了金层厚度与热压曲线对结构热应力的影响.分析结果表明,所提出的改进方法使结构热应力大大减少,提高了电池的键合率.

关键词：砷化镓电池、金-金热压键合、键合界面、热应力

所属期刊栏目：45

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：上海市青年科技启明星计划14QB1402800

在线出版日期：2016-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2608-2613