Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的结构演变和发光性能

摘要：

采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb3+离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu2SiO5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu2SiO5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征.研究结果表明Tb∶Lu2SiO5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100 ℃时晶化完全.Tb∶Lu2SiO5的发光性能表现为Tb3+离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J =6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480～650 nm和350～470 nm),激发主峰位于～240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射.研究表明Tb3掺杂浓度对Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol％的Tb3+时,Tb∶Lu2SiO5薄膜的发光强度最强.

关键词：Sol-gel法、Tb∶Lu2SiO5光学薄膜、结构演变、发光性能

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分类号：O484(固体物理学)

资助基金：上海市科委能力建设专项基金14520500300;国家自然科学基金青年基金21301115

在线出版日期：2016-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2561-2566