电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布

摘要：

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.

关键词：电化学C-V、MOCVD、GaAs、载流子浓度

所属期刊栏目：45

分类号：O484.5(固体物理学)

在线出版日期：2016-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2347-2351