低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响

摘要：

采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速率达到1.92(A)/s时退火后生成尺寸为100 nm宽、32 nm高的均匀形核岛,随后生长的未掺杂GaN外延薄膜层的螺型和刃型位错密度以及黄带峰强度达到最小值,并且其具有最高的载流子迁移率和最低的载流子浓度.

关键词：形核速率、形核层、GaN、金属有机化学气相沉积

所属期刊栏目：45

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61475110,61404089,21471111;山西省自然科学基金2014021019-1,2014011016-6;山西省科技创新重点团队2012041011

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：880-885