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清洗工艺对金属辅助刻蚀制备黑硅及其光伏器件的影响

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为了减少黑硅表面缺陷对黑硅太阳电池性能的影响,本文以金属纳米颗粒辅助刻蚀制备的156 mm× 156 mm多晶黑硅为研究对象,分别采用传统RCA清洗工艺中SCl清洗方法及其改进方法清洗黑硅,并通过SEM、少子寿命、IV、QE等手段表征黑硅微观结构及其光伏器件电性能.结果表明:改进清洗方法比SCI具有更好的清洗效果,能够有效去除黑硅中的金属残留,同时修正黑硅表面微结构,黑硅的少子寿命由1.98 μs提高到3.09 μs.对于156 mm× 156 mm多晶黑硅太阳电池,改进方法清洗的黑硅电池比SCl方法清洗黑硅太阳电池短路电流提升62mA,平均转化效率提升了0.16%,达18.01%.

黑硅、清洗工艺、少子寿命、太阳电池

45

TM910;TQ131.11

中小企业发展专项资金SQ2013ZOC100014

2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

371-375

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