单质靶溅射制备CZTS薄膜及太阳电池

摘要：

采用单质靶磁控溅射制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响.通过SEM与AFM表征薄膜的表面形貌与表面粗糙度,用EDS检测薄膜的元素组分.所制备的样品的Cu/(Zn+ Sn)、Zn/Sn处于最优范围.通过XRD及Raman检测薄膜的结晶情况以及薄膜中的二次相,经上述测试分析判定CZTS薄膜品质良好.最终制备出以CZTS为吸收层的薄膜太阳电池,并用Ⅰ～V特性检验了CZTS电池性能参数,得到效率为0.83％的CZTS薄膜太阳电池,并通过改进硫化退火工艺将效率提高至1.58％.

关键词：CZTS薄膜、磁控溅射、硫化、转换效率

所属期刊栏目：44

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家科技合作重点项目2011DFA62380;国家自然科学基金61176127,61167003

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3582-3587,3592