加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究

摘要：

以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象,运用三维数学输运模型分析与计算.在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响,着重分析与讨论了操作压强变化与GaN薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系,其次探讨了实验值与模拟值对比结果,从而对薄膜的均匀性及平均生长速率进行一定的预测,最终得到以基准工艺参数为前提的最佳压强设定范围为6650～13300 Pa.模拟跟实验结果表明:减小压强有利于薄膜的均匀性,压强较大时,平均生长速率大,但压强较大时极易引起流场不稳.

关键词：MOCVD、加高喷头、GaN生长、均匀性、数值模拟

所属期刊栏目：44

分类号：TB47(工业通用技术与设备)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2012AA041002;江西省科技厅重大科技专项20114ABF06102

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2994-2999