旋转半径对KDP晶体生长过程影响的数值模拟研究
相比传统KDP晶体同心旋转的生长方式,本文利用数值模拟的方法,针对不同旋转半径和不同籽晶摆放方式对KDP晶体生长过程中溶液流动和物质输运的影响进行研究,以寻找提高晶体表面过饱和度及其均匀性的方法.计算结果表明:随着旋转半径从0 cm增大到3 cm,晶面时均过饱和度整体也逐渐增大,柱面平均均方差逐渐减小,锥面平均均方差先增大后减小;当晶体摆放方式采用棱边迎流时,晶体表面时均过饱和度相比柱面迎流略有下降,但其平均均方差最小,有利于减少包裹体的产生.
KDP晶体、数值模拟、旋转半径、表面过饱和度、均方差
44
O78(晶体生长)
中央高校基本科研业务费CDJZR13140015
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
2721-2727