AlN插入层对AlGaN/GaN外延材料电学性能影响

摘要：

采用MOCVD制备了带有MN插入层AlGaN/GaN异质结构外延材料,对外延材料分别进行了原子力显微镜AFM、双晶XRD以及变温HALL测试.测试结果表明:具有AlN插入层的外延材料表面非常平整,10 μm × 10 μm范围样品的表面均方根粗糙度RMS仅为0.302 nm,AlGaN势垒层衍射峰更尖锐,材料结构特性良好,大大提高了AlGaN/GaN异质结的2DEG面密度和迁移率,280 K和300 K时沟道电子迁移率分别为4736 cm2/V·s和1785 cm2/V·s,比无MN插入层的传统结构得到的结果分别提高了45.7％和23.4％.

关键词：MOCVD、AlN插入层、AlGaN/GaN异质结构、外延、迁移率

所属期刊栏目：44

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：672-675