AgGa0.2In0.8Se2晶体小温度梯度生长与性质表征

摘要：

利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa0.2In0.8Se2多晶,单次合成量超过400 g;DSC测试结果显示其熔点为782℃,结晶温度为771℃.利用坩埚下降法在小温度梯度(2℃/cm)下生长出尺寸为φ25 mm× 75 mm高品质无开裂AgGa0.2In0.8Se2单晶.解离面(112)面摇摆曲线半峰宽为0.056°.厚度为3 mm双面抛光的(112)面晶片在1.5～18 μm波段透过率为65.0％ ～ 67.5％,表明所生长AgGa0.2In0.8Se2晶体具有较低的吸收系数,为0.01 ～0.1之间.

关键词：AgGa1-xInxSe2、晶体生长、温度梯度、坩埚下降法

所属期刊栏目：44

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：中物院高能激光科学与技术重点实验室基金HEL2013-08;中国工程物理研究院化工材料研究所科技创新基金项目KJCX-201308

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：306-310