BiVO4晶体的坩埚下降法生长与性能研究

摘要：

采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究.发现BiVO4晶体接触角随光照时间呈现先减小后增大的变化规律,同时电阻率随温度升高呈现先增大后减小的正温度系数效应.

关键词：BiVO4晶体、坩埚下降法、畴结构、接触角、电阻率

所属期刊栏目：43

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：科技部重大研究计划项目2013CB933203;国家自然科学基金21373224;福建省自然科学基金2012J01242;国家重点实验室开放课题项目SKL201202SIC;中国科学院百人计划择优支持项目

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3104-3107