GaN微米片的制备及性能研究
通过采用化学气相沉积法(CVD),以金属Ga和NH3为原料,在Si (100)衬底和蓝宝石衬底上采用催化剂Ni合成了GaN微米片.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X-ray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)对样品进行表征.结果表明,生成的微米片为六方纤锌矿结构的GaN;样品在360 nm处有一近带边紫外发射峰,在676 nm处有一个因缺陷引起的弱的红光发射峰;不同衬底上产物GaN的电学性能有所不同.最后,对本实验所得的GaN微米片的形成机理进行了分析.
GaN微米片、Si衬底、蓝宝石衬底、化学气相沉积
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TN304(半导体技术)
山西省自然科学基金2014011016-6;山西省回国留学人员科研项目2011-031;山西省留学人员科技活动择优资助[2011]762
2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
2186-2191,2197
