CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)法在钠钙玻璃衬底上制备了CuGaSe2∶Ge薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对CuGaSe2∶Ge薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,采用紫外-可见分光光度计分析了CuGaSe2∶Ge薄膜的光吸收、反射和透射特性.结果表明,在CuGaSe2中掺Ⅳ族元素Ge,价带到中间带和中间带到导带的光子吸收能量分别为0.89 eV和0.71 eV,禁带宽度为1.60 eV,能够形成中间带.

关键词：脉冲激光沉积、CuGaSe2∶Ge薄膜、中间带、禁带宽度

所属期刊栏目：43

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金11264025;内蒙古自治区重大基础研究开放课题20130902

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1921-1925