基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究

摘要：

利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数.国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性.

关键词：PECVD、氮化硅薄膜、正交试验、工艺参数

所属期刊栏目：43

分类号：TQ153.1;TP391.7

资助基金：国家自然科学基金51475290,51075261;高等学校博士学科点专项科研基金资助课题20120073110096;上海市科技创新行动计划项目11DZ1120800

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1913-1920