组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究

摘要：

高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品.结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5％.综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利.

关键词：绝缘体上锗硅、锗浓缩、组分可控

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.1;TN304.2(半导体技术)

资助基金：Natural Science Foundation of China61306007;Scientific Research Key Project of Henan Province Education Department14A510004;Key Scientific and Technological Project of Henan Province132102210048;Special Project of Nanyang Normal UniversityZX2012017

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1781-1787