物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

摘要：

使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源.并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法.

关键词：物理气相传输、4H-SiC、碳包裹物、质量输运、形成机制

所属期刊栏目：43

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：National Basic Research Program of China under Grant2011CB301904;Natural Science Foundation of China under Grant11134006

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1602-1606