铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能影响
采用磁控溅射法制备CdZnTe先驱薄膜/金属Al膜的层叠结构,利用铝诱导技术制备CdZnTe薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射、Raman光谱仪和半导体特性分析系统,研究了铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能的影响.结果表明:随着铝膜溅射功率的增加,铝诱导CdZnTe薄膜表面的薄膜结晶质量、晶粒尺寸和薄膜电阻率先增大后减小.铝诱导晶化的效果与铝膜溅射功率有关,当铝膜溅射功率达到100 W,CdZnTe薄膜的晶化诱导效果最显著,薄膜结晶质量最好,晶粒尺寸最大.
CdZnTe薄膜、磁控溅射、溅射功率、铝诱导结晶
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TN304.2+6(半导体技术)
国家自然科学基金51002012;北京市教委科研计划资助项目
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1515-1519