Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

摘要：

利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响.从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失.优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高.量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520～1100nm)的光子吸收损失大大减小.

关键词：CIGS薄膜、太阳电池、Ga梯度分布、二极管特性

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.22(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61144002;河北省自然科学基金F2012202075

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1381-1386