RE∶YAP(RE=Nd,Tm)晶体缺陷与光谱分析
采用提拉法生长Nd∶ YAP和Tm∶ YAP晶体,利用吸收和荧光光谱表征样品.结果表明:经真空退火,提高了晶体质量.Nd∶ YAP晶体在808 nm附近有较强的吸收,与商用激光二极管的发射波长匹配较好,获得了1064 nm荧光输出;Tm∶YAP晶体在790 nm附近有一定的吸收,在1.87 μm处的荧光峰对应于3F4→3H6能级之间的跃迁,有利于激光的高能量调Q输出.
Nd∶YAP晶体、Tm∶YAP晶体、晶体缺陷、吸收光谱、荧光光谱
43
O78(晶体生长)
兵器预研项目622030201
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1371-1375