温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

摘要：

针对高温熔体生长的ZnGeP2 (ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出φ20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16 ～ 0.3 cm-1之间.但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究.

关键词：ZGP晶体、籽晶温度梯度区域熔炼法、吸收系数

所属期刊栏目：43

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金51202250

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1367-1370,1386