AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

摘要：

研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.

关键词：SiC衬底、GaN薄膜、AlGaN成核层、应力、晶体质量

所属期刊栏目：43

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2011CB301904;国家自然科学基金11134006,51321091,51323002;山东大学基本科研业务费资助项目2014QY005

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1346-1350