PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

摘要：

详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.

关键词：PICTS、CdZnTe、深能级、缺陷

所属期刊栏目：43

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金11275122;上海市科委重点项目11530500200;上海市教育委员会科研创新项目12ZZ096

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：829-833