多层初始晶硅薄膜的微观结构及光电导特性分析
采用等离子体增强化学气相沉积技术通过高氢和低氢稀释层交替生长制备出多层初始晶硅薄膜,利用Raman散射、红外吸收、紫外可见吸收及I-V测量等技术分析了薄膜的微观结构、能带特征和光电导特性.结果显示,不同氢稀释层交替生长导致薄膜由非晶硅向初始晶硅结构转变,随高氢稀释层厚度的增加,薄膜微观结构有序性提高,所对应薄膜光学带隙减小,而带尾分布展宽.I-V测量显示,薄膜微观结构有序性提高和光学带隙降低的共同作用导致薄膜光敏性呈现先减小后增加趋势,然而,在高氢稀释层厚度较大时,纳米晶硅边界载流子快速复合导致薄膜光敏性的显著减小.
多层初始晶硅、微结构有序性、光敏性
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O613.72(无机化学)
河北省应用基础研究重点项目12963930D;河北省自然科学基金F2013201250;河北省科学技术研究计划ZH2012030
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
790-795