热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟

摘要：

为了研究热屏位置对φ200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟.结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小.合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量.

关键词：直拉硅单晶、有限元、热屏位置、原生点缺陷、热应力

所属期刊栏目：43

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题KF1303

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：771-777