非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9％,同时填充因子(FF)也达到0.62.

关键词：非晶硅锗、光学带隙、太阳能电池

所属期刊栏目：43

分类号：TK511(特殊热能及其机械)

资助基金：国家国际合作项目2010DFB63080;国家高技术研究发展计划863计划2012AA052401

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：765-770