Ti掺杂6H-SiC电学性质研究

摘要：

使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.

关键词：物理气相传输、Ti掺杂、6H-SiC、电阻率

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分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2011AA050401;国家自然科学基金51323002;山东大学自主创新基金2012ZD047;国家科技重大专项2012ZX01006

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：733-737